如果你需要购买磨粉机，而且区分不了雷蒙磨与球磨机的区别，那么下面让我来给你讲解一下： 雷蒙磨和球磨机外形差异较大，雷蒙磨高达威猛，球磨机敦实个头也不小，但是二者的工
随着社会经济的快速发展，矿石磨粉的需求量越来越大，传统的磨粉机已经不能满足生产的需要，为了满足生产需求，黎明重工加紧科研步伐，生产出了全自动智能化环保节能立式磨粉
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2020年10月21日 以碳化硅MOSFET工艺为例，整线关键工艺设备共22种。 1碳化硅晶体生长及加工关键设备 主要包括: 碳化硅粉料合成设备 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化
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2021年12月5日 疯狂的禾苗 16 人 赞同了该文章 本文首发自公众号：价值盐选 今天我们分析一下半导体产业链，这条产业链分为很多环节，比如材料、设备、芯片设计、芯片
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2020年12月2日 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高
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碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿
2022年3月7日 2、衬底 长晶完成后，就进入衬底生产环节。 经过定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）、超精密抛光（化学机械抛光），得到碳化硅衬底。 衬
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产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启
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2023年5月8日 碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：第一类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从
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碳化硅化学气相沉积外延设备 碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。 我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸
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2021年11月7日 使用碳化硅 MOSFET 或碳化硅 MOSFET 与碳化硅 SBD 结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从 96%提升至 99%以上，能量损耗降低 50%以上，设备循环
碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。
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2022年8月25日 这是一个需要用设备部署的大量洁净室空间。一些用于硅生产线的设备也可用于碳化硅生产 线。但大批量的生产需要一些专门的工具。 IDM和代工厂需要什么？ 随着特斯拉的发展，意法半导体很快就实现了高销量。意法半导体汽车产品集团功率
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产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。 值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分
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2019年6月13日 因此，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。 技术领先国家和国际大型企业纷纷投入到碳化硅和氮化镓的研发和产业化中，产业链覆盖材料、器件、模块和
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2023年5月8日 碳化硅行业企业的业态两种商业模式 以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成
碳化硅化学气相沉积外延设备 碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。 我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸外延片生长，是一款工艺指标优异、耗材成本低、维护频率低的中国首台完全自主
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2022年3月2日 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。 核心分为以下三代： 1) 第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗 (Ge)；为半
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2022年3月22日 55 万平方米，将新建一条 400 台/套碳化硅单晶生长炉及其配 套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线 需要重视哪些 信号 交易提示 操盘必读
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2022年7月17日 碳化硅（SiC）行业分析报告：碳化硅(SiC)是一种无机物，其是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目前已发现的SiC同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC(4HSiC)具有高临界
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2020年12月25日 制备温度方面，碳化硅衬底需要在2500度高温设备下进行生产，而硅晶只需1500度；生产周期方面，碳化硅晶圆约需要7至10天，而硅晶棒只需要2天半；商业化晶圆尺寸方面，目前碳化硅晶圆主要是4英寸与6英寸，而用于功率器件的硅晶圆以8 英寸为主
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碳化硅化学气相沉积外延设备 碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。 我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸外延片生长，是一款工艺指标优异、耗材成本低、维护频率低的中国首台完全自主
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2023年5月8日 碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：第一类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公司等。 国内碳化硅产业起步较晚。 衬底方面，科锐和II
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2019年6月13日 因此，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。 技术领先国家和国际大型企业纷纷投入到碳化硅和氮化镓的研发和产业化中，产业链覆盖材料、器件、模块和
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碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。
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2022年8月12日 设备导入环节面临设备选型，现有方案适合用哪些设备生产，需要通过一台一台设备来试产。 现在全球主要半导体企业，都在努力提升碳化硅的产能，Fab厂抢购半导体设备已是业内常态，有没有抢购到适配的设备，是能否增加SiC器件产能的关键因素。
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2021年10月22日 碳化硅生产设备 与二代半导体类似，我国碳化硅生产设备也大量来自进口美欧日的产品。比如，外延片生产国内第一的瀚天天成公司，碳化硅外延晶片生长炉和各种进口高端检测设备都是引进德国Aixtron公司的，外延生长技术已达到国际先进水平
2021年11月1日 泛半导体长晶设备龙头晶盛机电专题报告：碳化硅打开成长新曲线 1 单晶硅生长设备龙头，光伏、半导体、蓝宝石协同发展 11 光伏单晶炉市占率 2020 年稳居第一，销量突破 1800 台 光伏单晶炉全球市占率第一，2020年长晶设备销量突破 1800台 。 公司
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今天 例如，碳化硅材料可以用于制造汽车电子控制系统等需要长时间、高温运行的设备。5 高电子迁移率 碳化硅材料具有高电子迁移率（Electron Mobility），这意味着电子在碳化硅中的移动速度很快。这对于制造高频、高功率电子设备非常重要，因为这些设备需要
2020年9月21日 近年来，以碳化硅 为代表的第三代半导体材料在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势，进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基
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欧洲SiC晶体生长工艺装备的设备制造商集中在德国、瑞典和英国，目前主要生产以3“直径为主的工艺装备，但为了追赶世界先进水平，已开始进行4”SiC晶圆工艺装备的研发。 本项目的实施，将使我国SiC行业工艺装备实现重大突破，打破国内SiC发展的瓶径，改变
2023年5月8日 碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：第一类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公司等。 国内碳化硅产业起步较晚。 衬底方面，科锐和II
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今天 例如，碳化硅材料可以用于制造汽车电子控制系统等需要长时间、高温运行的设备。5 高电子迁移率 碳化硅材料具有高电子迁移率（Electron Mobility），这意味着电子在碳化硅中的移动速度很快。这对于制造高频、高功率电子设备非常重要，因为这些设备需要
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2021年11月12日 碳化硅生产制造的难点在于：生长过程在2300摄氏度高温的黑箱中进行（硅材料只需要1600摄氏度），随着尺寸扩大，其生长难度呈几何式增长： 温度和压力的控制稍有失误，就有可能导致碳化硅材料的微管密度、错位密度、电阻率、翘曲度、表面粗糙度等一系列参数出现差错[6]。
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欧洲SiC晶体生长工艺装备的设备制造商集中在德国、瑞典和英国，目前主要生产以3“直径为主的工艺装备，但为了追赶世界先进水平，已开始进行4”SiC晶圆工艺装备的研发。 本项目的实施，将使我国SiC行业工艺装备实现重大突破，打破国内SiC发展的瓶径，改变
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2021年11月19日 公司碳化硅外延设备已通过客户验证，同时在6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节已规划建立测试线，以实现装备和工艺技术的领先，加快推进第
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2022年7月17日 碳化硅（SiC）行业分析报告：碳化硅(SiC)是一种无机物，其是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目前已发现的SiC同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC(4HSiC)具有高临界
2021年11月23日 2020年超越摩尔定律应用的外延设备销售额约为692亿美元，Yole预测，到2026年，包括功率和光电应用关键的MOCVD（金属有机化学气相沉积）、HTCVD（高温化学气相沉积）和MBE（分子束外延设备）外延设备市场将达到11亿美元，复合年增长率为8%。 从外延设备市场
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2018年12月6日 国内碳化硅产业链企业大盘点 今年的半导体产业，碳化硅（SiC）颇为火热。 前不久，英飞凌宣布以139亿美元收购初创企业Siltectra，获得后者创新技术ColdSpilt以用于碳化硅晶圆的切割上，进一步加码碳化硅市场，X—Fab、日本罗姆等企业早些时候也相
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2023年2月10日 在SiC功率器件厂商中，排名前列的基本都是国外厂商，据Yole数据，Cree，英飞凌，罗姆，意法半导体占据了90%的市场份额。 国产厂商已有不少推出了碳化硅二极管，但具有SiC MOSFET研发和量产能力的企业凤毛麟角，能上车的更是少之又少。 不过近日笔者获悉杭州
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2023年5月5日 捷佳伟创：公司半导体装备客户包含LED、集成电路等领域的知名企业,碳化硅,捷佳伟创,半导体设备,半导体装备,高科技产业 捷佳伟创()05月05日在投资者关系平台上答复了投资者关心的问题。投资者：董秘您好:请问贵公司半导体相关的业务具体是哪些?主要的上下游有哪些公司?进度如何?谢谢!
